中科院半导体所莅临光谷薄膜交流用于先进制程退火工艺

2025.8.26日，中国科学院半导体研究所何力博士到访我司，交流用于先进制程退火工艺。分享了通过退火开展半导体材料超固溶度掺杂研究，为先进制程晶体管、光电子材料及器件制备等提供有效支撑。

随着半导体制造工艺进入14纳米及以下技术节点，传统退火技术已难以满足“毫秒级升至1200℃”的苛刻要求。激光退火（Laser Annealing）与闪光灯退火（Flash Lamp Annealing, FLA）因其快速、低温预算、高效掺杂激活等优势，成为先进制程的关键工艺装备。

然而，该类设备长期被国外企业垄断，并对中国实施严格禁运，成为制约我国半导体产业发展的“卡脖子”环节。在此背景下，何力博士团队自主研发的闪光灯退火样机成功实现脉冲宽度8毫秒、样品尺寸2×2厘米的闪光退火实验，初步验证了国产FLA设备的可行性。

光谷薄膜作为在半导体工艺与检测装备领域具有深厚技术积累的创新企业，高度重视与中科院半导体所的合作机会。公司表示，将积极发挥其在设备工程化、系统集成、市场转化等方面的优势，共同推动闪光灯退火技术的产业化落地，助力打破国外技术垄断。

此次交流不仅是一次技术汇报，更是“产-学-研”协同创新模式的生动实践。双方将继续深化合作，加速推进国产FLA装备的研发与应用，为我国半导体产业链自主可控与战略安全提供坚实支撑。