氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）因其优异的耐高温、高频、高功率特性，在射频通信、功率电子及高灵敏度传感器等领域具有重要应用价值。GaN-HEMT常面临复杂温度与压力环境，因此研究其在不同温压条件下的电学特性至关重要。
高精度控温冷热台提供稳定的变温环境，结合压力计精确调控压力条件，并通过半导体参数分析仪实时测量GaN-HEMT的关键电学参数（如阈值电压、迁移率、漏电流等）。可实现对GaN-HEMT在不同温度、压力条件下的精准电学测试，为高性能半导体器件的研发与优化提供关键实验依据。
该方案模拟了极端环境（如高温高压、低温低压），帮助评估GaN-HEMT在复杂工况下的可靠性优化压力传感器芯片的设计与性能，为航空航天、汽车电子等领域的应用提供数据支持。
