2025年3月5日，杭州镓仁半导体有限公司宣布全球首颗8英寸氧化镓单晶衬底成功问世，标志着中国半导体产业在第四代材料领域实现跨越式突破。作为镓仁半导体的核心合作伙伴，光谷薄膜凭借自主研发的霍尔效应测试仪，为其氧化镓单晶产品提供了第三方检测支持，以高精度、多维度的电学性能数据验证了材料的产业化潜力。
针对8英寸氧化镓单晶衬底的导电型与UID两种晶体，光谷薄膜霍尔效应测试仪通过范德堡法同步测定了电阻率、载流子浓度等关键参数：
导电型晶体：电阻率低至25mΩ·cm，载流子浓度达2.9×10¹⁸ cm⁻¹；
UID晶体：电阻率高达664mΩ·cm，载流子浓度仅6.9×10¹⁶ cm⁻¹。
光谷薄膜为镓仁半导体氧化镓单晶衬底出具的检测报告
氧化镓作为超宽禁带半导体，其电学性能的稳定性直接影响器件可靠性。光谷薄膜霍尔效应测试通过以下应用场景为产业升级提供支撑：
材料筛选：鉴别N/P型导电类型，评估晶体缺陷与掺杂均匀性；
工艺监控：实时反馈电阻率分布，指导单晶生长参数调整；
器件设计：提供迁移率与载流子浓度关联数据，缩短芯片研发周期；
合作共赢：推动国产半导体生态建设。
镓仁半导体8英寸氧化镓单晶的突破，不仅刷新了全球技术纪录，更验证了国产检测设备的国际竞争力。光谷薄膜凭借在GaN、SiC等宽禁带材料领域的成熟经验，持续为氧化镓等第四代半导体产业化提供“中国方案”，助力构建从材料、设备到芯片的完整产业链。
